置換銀めっきプロセス
Sterling®
【用途】
銅と銀の置換反応により、銅上に銀めっき皮膜を析出させます。パワー半導体基板で多くの実績があります。
【特長】
短時間処理（銀めっき浴:1分～）
バッチ処理、水平処理に対応
銀焼結材との優れた接続信頼性
【プロセス】
| 工程 | 製品 | 温度 | 水平処理時間 | バッチ処理時間 |
|---|---|---|---|---|
| クリーナー | Sterling SMT Cleaner | 50 ℃ | 30 秒 | 300 秒 |
| エッチング | Sterling Surface Prep | 40 ℃ | 60 秒＊1 | 60 秒＊1 |
| プリディップ | Sterling Pre-Dip | 30 ℃ | 30 秒 | 30 秒 |
| 置換銀めっき | Sterling Silver | 50 ℃ | 60 秒＊2 | 60 秒＊2 |
＊1 エッチング量による
＊2 めっき厚による
DBC基板：置換銀めっき前
DBC基板：置換銀めっき後
置換錫めっきプロセス
ORMECON® CSN CLASSIC
【用途】
銅上にオーガニックメタル層を形成させた後、銅と錫の急激な反応を抑制し、安定した置換反応を行うプロセスです。FC-BGA等パッケージ基板や車載基板に広く採用されています。
【特長】
銅と錫の初期反応にオーガニックメタルを使用
ウィスカーの形成を抑制
Sn4+濃度の上昇によるめっき析出速度低下の影響が少ない
【プロセス】
| 工程 | 製品 | 温度 | 水平処理時間 |
|---|---|---|---|
| クリーナー | ENTHONE PC-7086 | 60 ℃ | 30 秒 |
| エッチング | ENPLATE AD-485 | 35 ℃ | 60 秒＊1 |
| プリディップ | ORMECON OMP 7001R | 35 ℃ | 30 秒 |
| 置換錫めっき＊2 | ORMECON CNS 7004-1 ORMECON CNS 7004-2 |
68 ℃ | 15分＊3 |
| コンタミ除去 | ORMECON RAD 7000C | 50 ℃ | 60 秒 |
| 変色防止剤 | ORMECON RPT 7000C | 35 ℃ | 15 秒 |
＊1 エッチング量による
＊2 2液建浴
＊3 めっき厚による
置換錫めっき後
置換錫めっき後（SEM x 5,000倍）
OSPプロセス
ENTEK® PLUS HT
【用途】
銅上に耐熱性の有機皮膜を形成し、実装工程までの銅酸化を防止します。金属めっきに比較して安価なプロセスです。
【特長】
耐熱性に優れた有機皮膜を形成
部分金めっきプロセスに適用可能
マルチリフロー処理に対応
【プロセス】
| 工程 | 製品 | 温度 | 水平処理時間 |
|---|---|---|---|
| クリーナー | ENTEK Cleaner SC-1010DE | 40 ℃ | 40 秒 |
| エッチング | ENTEK Microetch ME-1020 | 35 ℃ | 60 秒＊1 |
| プリディップ | ENTEK Precoat PC-1035 | 25 ℃ | 30 秒 |
| OSP処理＊2 | ENTEK PLUS HT RB1 ENTEK PLUS HT RA ENTEK PLUS HT RC |
35 ℃ | 60 秒 |
＊1 エッチング量による
＊2 Organic Solderability Preservativeの略
＊2 3液建浴
部分金めっき基板
SEM断面観察（SEM×25,000倍）
